目前关于阻变效应的研究主要集中在器件的静态特性上，对电阻转变的瞬态过程涉及不多，而这方面的工作对于阐明材料中离子迁移，导电通道形成和演化等的微观机制具有重要意义。我们搭建了测量RRAM器件动态阻变过程的测试系统，成功捕获了Ti/HfO2/Pt器件在脉冲信号驱动下set/reset操作的瞬态响应过程，发现set过程分两个阶段：电流基本恒定的等待阶段和电流急剧上升的突变阶段；而reset过程则随电压脉冲及时发生,并表现出缓变行为。通过施加不同形式的set脉冲串，我们发现外电场对器件的作用存在着积累和耗散效应，并具有无极性特征。因此我们认为这种非线性的Twait-Vset依赖关系是源于局域焦耳热效应对介质层击穿的加速作用.这一结果为解决基于离子迁移体系RRAM器件中的“voltage-time dilemma”问题提供了新思路，相关结果发表在 Applied Physics Letter 101, 203502. (2012) 上。