近年来，在BiFeO3料构成的异质结中发现，我们能够通过改变BiFeO3薄膜的铁电极化方向来翻转整个器件的整流输运特性。这种现象被认为主要源于极化电荷对界面势垒的调制，因此基于此现象可以开发出一种被认为具有“no forming”，“non destructive”等优势的新型电阻型存储技术，倍受人们所关注。我们的研究表明，Ag/BiFeO3/LaSrMnO3器件的电输运行为会随着极化翻转过程连续变化，电阻和极化强度之间存在“V”型的依赖关系，而在净极化强度为零时恰好达到最低值。通过施加合适的电压脉冲串，我们实现了BiFeO3器件良好的三态存储功能。我们还发现在不同的脉冲串作用下，BiFeO3器件会表现出完全相反的疲劳特性。连续正负电压脉冲的作用使得器件电阻不断变小，而施加相同方向的脉冲串则使器件恢复到高电阻态。注意到BiFeO3材料的电畴壁具有高导电性，我们认为这些畴壁会在界面势垒附近形成leakage path，从而影响异质结器件的输运行为。我们的结果表明，在BiFeO3基器件中，电畴重构也可以有效的调控器件的电输运行为，暗示着一种新的应用方向。相关结果发表在 Applied Physics Letter 101, 152901. (2012) 上。